IPB17N25S3100ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB17N25S3100ATMA1 メーカー: Infineon および BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPB17N25S3100ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.84 | $0.54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB17N25S3100ATMA1 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 64 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 100 mOhm max @ VGS = 10 V | — |
| Typical RDS(on) | 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 19 nC @ VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.5 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 23 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 625 pF | — |
| Power Dissipation (PD) | 107 W at Tc = 25 C | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +175 C | -55°C to +150°C |
| パッケージ | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Rated | 100% avalanche tested | — |
| RoHS ステータス | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| 消費電力（TC=25°C） | — | 83 W |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| MSLレベル | — | 1 |
| ハロゲンフリー | — | Yes |