IPB17N25S3100ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB17N25S3100ATMA1 от Infineon и BSC027N04LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPB17N25S3100ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,84 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB17N25S3100ATMA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 64 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 100 mOhm max @ VGS = 10 V | — |
| Typical RDS(on) | 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 19 nC @ VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.5 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 23 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 625 pF | — |
| Power Dissipation (PD) | 107 W at Tc = 25 C | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | -55°C to +150°C |
| Корпус | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Rated | 100% avalanche tested | — |
| Статус RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | — | 83 W |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Без галогенов | — | Yes |