IPB17N25S3100ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB17N25S3100ATMA1 제조: Infineon 및 BSC027N04LSGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 - 250V 17A N-Channel MOSFET | Infineon

IPB17N25S3100ATMA1 - 250V 17A N-Channel MOSFET | Infineon

IPB17N25S3100ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB17N25S3100ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.84 $0.54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB17N25S3100ATMA1 —
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 64 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 100 mOhm max @ VGS = 10 V —
Typical RDS(on) 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 19 nC @ VGS = 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.5 nF —
Output Capacitance (Coss) 23 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 625 pF —
Power Dissipation (PD) 107 W at Tc = 25 C —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C -55°C to +150°C
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
RoHS 상태 Compliant (Green Product) Compliant
Product Family — OptiMOS 3
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
전력 손실 (TC=25°C) — 83 W
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
MSL 레벨 — 1
할로겐 프리 — Yes

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