IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB60R125C6ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB60R040CFD7ATMA1 メーカー: Infineon および IPB60R125C6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R125C6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.19 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
消費電力(TC=25°C) 227 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS™ C6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 125 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 219 W
動作接合温度 — -55°C to +150°C
パッケージ / ケース — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Supplier Device Package — PG-TO263-3
Lead-Free Status — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼