IPD082N10N3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD082N10N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPD30N10S3L34ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD082N10N3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.14 $0.38
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
動作接合温度 -55°C to +175°C -55°C to +175°C
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS ステータス Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
パッケージ — PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

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