IPD082N10N3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD082N10N3GATMA1 от Infineon и IPD30N10S3L34ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD082N10N3GATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,14 | $0,38 |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| Корпус / Типоразмер | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Тип транзистора | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| Корпус | — | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |