IPD082N10N3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD082N10N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPD30N10S3L34ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD082N10N3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.14 $0.38
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
동작 접합 온도 -55°C to +175°C -55°C to +175°C
패키지 / 케이스 PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS 상태 Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
트랜지스터 유형 — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
패키지 — PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

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