IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG16N10S461AATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N06S4L14AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 ✓ 生産中
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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG16N10S461AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS™ Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A 20 A (per channel)
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant —
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
Part Number — IPG20N06S4L14AATMA1
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)

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