IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N06S2L65AATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N06S2L65ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ 生産中
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IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) Dual N-Channel, Logic Level
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) 20 A per channel
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
パッケージ PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
MSLレベル MSL1 (peak reflow 260 C) MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS ステータス Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
動作温度範囲 — -55°C to +175°C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

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