IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPG20N06S2L65AATMA1 от Infineon и IPG20N06S2L65ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | Dual N-Channel, Logic Level |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | 20 A per channel |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Корпус | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Уровень MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Статус RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |