IPG20N06S4L14AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N06S4L14AATMA1 メーカー: Infineon および IPG16N10S461AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ 生産中
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IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N06S4L14AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) 16 A
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (junction) -55 °C to +175 °C
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench OptiMOS™ trench
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Terminal Count — 8
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

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