IPG20N06S4L14AATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N06S4L14AATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N04S4L08ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (junction) —
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench —
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
動作温度 — -55°C to +175°C
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
MSLレベル — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

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