IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPN60R2K0PFD7SATMA1 メーカー: Infineon および IPN95R3K7P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.28 $0.44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS PFD7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (Tc) 3 A —
Power Dissipation (Tc) 6 W —
RDS(on) typical @ VGS=10V 2.0 Ohm —
RDS(on) max @ VGS=10V 1.626 Ohm (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) —
Input Capacitance (Ciss) 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) —
Technology CoolMOS superjunction Super-junction (CoolMOS P7)
パッケージ PG-SOT223-3-1 (SOT-223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant (per Newark listing) Compliant
Series — CoolMOS P7
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
動作接合温度 — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

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