IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPN60R2K0PFD7SATMA1 제조: Infineon 및 IPN95R3K7P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.28 $0.44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS PFD7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (Tc) 3 A —
Power Dissipation (Tc) 6 W —
RDS(on) typical @ VGS=10V 2.0 Ohm —
RDS(on) max @ VGS=10V 1.626 Ohm (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) —
Input Capacitance (Ciss) 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) —
Technology CoolMOS superjunction Super-junction (CoolMOS P7)
패키지 PG-SOT223-3-1 (SOT-223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant (per Newark listing) Compliant
Series — CoolMOS P7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
동작 접합 온도 — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

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