IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP075N15N3GXKSA1 メーカー: Infineon および IPP600N25N3GXKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ 生産中
Infineon
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP075N15N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.92 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
パッケージ PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) —
実装タイプ Through Hole Through Hole
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
パッケージ / ケース — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)

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