IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon e IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP075N15N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulamento PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulamento / Caixa — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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