IPT007N06NATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: IPT007N06NATMA1 メーカー: Infineon および BSC0504NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPT007N06NATMA1 BSC0504NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.84 $0.00
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-6
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
MSLレベル MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant unknown
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
トランジスタタイプ — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
ピン数 — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
ゲートしきい値電圧 — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
熱抵抗 — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼