IPT007N06NATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPT007N06NATMA1 por Infineon e BSC0504NSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPT007N06NATMA1 | BSC0504NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,84 | $0,00 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | 0.75 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 375 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C (TJ) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TDSON-8-6 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] | — |
| Thermal Resistance (RthJC max) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Nível MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant | unknown |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Standard Pack Quantity | 3000 (Tape & Reel) | — |
| Tipo de transistor | — | N-channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current at Tc | — | 72 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Número de pinos | — | 8 pins |
| Exposed Pad | — | Yes, according to distributor package description |
| On-State Resistance | — | [DATA_NEEDED: on-state resistance] |
| Gate Charge | — | [DATA_NEEDED: gate charge] |
| Tensão de limiar de gate | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Resistência térmica | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance] |
| AEC-Q100 Qualification | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] |
| Lead-Free Status | — | unknown |
| Halogen-Free Status | — | unknown |
| REACH Status | — | unknown |