IPT007N06NATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPT007N06NATMA1 メーカー: Infineon および IPD90N03S4L02ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPT007N06NATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.84 $0.58
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (TJ) —
パッケージ PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
MSLレベル MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Green Package)
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
RDS(on) Max at VGS=10 V — 2.2 mΩ
RDS(on) Max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V]
Gate Drive Voltage (VGS) — 4.5 V to 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical value]
動作接合温度 — -55°C to +175°C
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Series — OptiMOS-T2

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