IPTC039N15NM5ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPTC039N15NM5ATMA1 メーカー: Infineon および IPD65R380E6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPTC039N15NM5ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.05 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 CoolMOS™ E6
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
動作温度 -55 C to +175 C (junction) —
パッケージ PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench Superjunction (CoolMOS™)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
動作温度範囲 — -55 °C to +150 °C
MSLレベル — 1

データシート&リソース

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