IPTC039N15NM5ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPTC039N15NM5ATMA1 por Infineon e IPD65R380E6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPTC039N15NM5ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,05 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 CoolMOS™ E6
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) —
Encapsulamento PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench Superjunction (CoolMOS™)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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