IPTC039N15NM5ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPTC039N15NM5ATMA1 от Infineon и IPD65R380E6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPD65R380E6ATMA1 - 650V CoolMOS E6 MOSFET 380mΩ 10.6A | Infineon
IPD65R380E6ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPTC039N15NM5ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,05 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | CoolMOS™ E6 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 190 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 319 W | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.9 mOhm | — |
| Gate Charge Qg typical | 74 nC | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Корпус | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench | Superjunction (CoolMOS™) |
| Cooling | Top-side cooled (case above PCB) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +150 °C |
| Уровень MSL | — | 1 |