IPW60R037P7XKSA1 vs IPL65R200CFD7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPW60R037P7XKSA1 メーカー: Infineon および IPL65R200CFD7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ 生産中
Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPW60R037P7XKSA1 IPL65R200CFD7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.55 $1.52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 CoolMOS CFD7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
パッケージ PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) PG-VSON-4
実装タイプ Through Hole Surface Mount
動作接合温度 -55 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS Superjunction (SJ)
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 14 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 81 W
On-Resistance (RDS(on)) — 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
動作温度 — -55C to +150C (TJ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg value]
Body Diode — Fast-recovery intrinsic
Gate-Source ESD Protection — Yes (integrated)

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