IQDH88N06LM5ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: IQDH88N06LM5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC050N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ 生産中
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BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQDH88N06LM5ATMA1 BSC050N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.05 $0.41
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Drain Current (ID) Continuous at Ta 42 A —
Drain Current (ID) Continuous at Tc 447 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 0.86 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 333 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
パッケージ PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

データシート&リソース

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