IQDH88N06LM5ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH88N06LM5ATMA1 par Infineon et BSC050N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH88N06LM5ATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,05 $0,41
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Drain Current (ID) Continuous at Ta 42 A —
Drain Current (ID) Continuous at Tc 447 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 0.86 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 333 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Boîtier PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Fiches techniques et ressources

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