IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQDH88N06LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon および IQDH88N06LM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.31 $3.05
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
消費電力(TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: TJ max]
パッケージ PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Drain Current (ID) Continuous at Ta — 42 A
Drain Current (ID) Continuous at Tc — 447 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 0.86 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 333 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼