IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IQDH88N06LM5CGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQDH88N06LM5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.31 $3.05
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
연속 드레인 전류 (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
전력 손실 (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: TJ max]
패키지 PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Drain Current (ID) Continuous at Ta — 42 A
Drain Current (ID) Continuous at Tc — 447 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 0.86 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 333 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5

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