IQE013N04LM6SCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQE013N04LM6SCATMA1 メーカー: Infineon および ISC015N06NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQE013N04LM6SCATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.02 $0.62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 1.35 mΩ —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C 31 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C [DATA_NEEDED: I_D at T_C] (per distributor listing 205 A pulsed) —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C 205 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C 2.5 W —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C 107 W —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) @ V<sub>GS</sub>=10 V 41 nC —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) @ V<sub>DS</sub>=20 V 3800 pF —
パッケージ PG-WHSON-8-1 (3.3 mm × 3.3 mm Source-Down PQFN) with exposed pad PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: T_J min/max] -55 C to +175 C
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Family OptiMOS Source-Down, 40 V, 3.3×3.3 PQFN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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