IQE013N04LM6SCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IQE013N04LM6SCATMA1 제조: Infineon 및 ISC015N06NM5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IQE013N04LM6SCATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.02 $0.62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 1.35 mΩ —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C 31 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C [DATA_NEEDED: I_D at T_C] (per distributor listing 205 A pulsed) —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C 205 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C 2.5 W —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C 107 W —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) @ V<sub>GS</sub>=10 V 41 nC —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) @ V<sub>DS</sub>=20 V 3800 pF —
패키지 PG-WHSON-8-1 (3.3 mm × 3.3 mm Source-Down PQFN) with exposed pad PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: T_J min/max] -55 C to +175 C
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Family OptiMOS Source-Down, 40 V, 3.3×3.3 PQFN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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