IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 比較

詳細な並列比較: IQEH84NE2LM7UCGATMA1 メーカー: Infineon および IQEH68NE2LM7UCGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $1.35
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 7 (Trench MOSFET) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 107 W —
RDS(on) @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] —
RoHS ステータス Compliant Compliant (per distributor listing)
Lead-Free Yes —
Switching Application Hard- and soft-switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc — 338 A
Power Dissipation (PD) @ Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc — 130 W
Gate Threshold Voltage Type — Logic-level (per OptiMOS 7 family)
On-Resistance Family — RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Packaging — Tape & Reel (per ATMA1 suffix)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼