IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IQEH84NE2LM7UCGATMA1 제조: Infineon 및 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 ✓ 활성
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.49 $1.35
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 7 (Trench MOSFET) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 107 W —
RDS(on) @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] —
RoHS 상태 Compliant Compliant (per distributor listing)
Lead-Free Yes —
Switching Application Hard- and soft-switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc — 338 A
Power Dissipation (PD) @ Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc — 130 W
Gate Threshold Voltage Type — Logic-level (per OptiMOS 7 family)
On-Resistance Family — RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Packaging — Tape & Reel (per ATMA1 suffix)

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