IR2110SPBF vs IRS21814MTRPBF 比較

詳細な並列比較: IR2110SPBF メーカー: Infineon および IRS21814MTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IR2110SPBF IRS21814MTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.98 $0.81
機能 Half-bridge gate driver —
トポロジー High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
動作温度範囲 -40 C to +125 C —
パッケージ 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-MLPQ (4x4 mm) with Exposed Pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Configuration — High and Low Side, Independent
Driver Channels — 2 (half-bridge)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (bootstrap)
Offset Voltage (High-Side) — Up to +600 V
Peak Source Current (typ.) — 1.9 A
Peak Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 180 ns
Delay Matching (HS to LS) — [DATA_NEEDED: HS-LS delay matching spec]
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
dV/dt Immunity — Yes (negative-transient tolerant)
動作温度 — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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