IRF7342PBF vs IRF7343TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7342PBF メーカー: Infineon および IRF7343TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7342PBF IRF7343TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF —
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ / ケース 8-SOIC (SO-8) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
RoHS ステータス Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Part Status — Active
トランジスタタイプ — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
パッケージ — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

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