IRF7342PBF vs IRF7343TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF7342PBF 제조: Infineon 및 IRF7343TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF7342PBF IRF7343TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.89 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF —
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (SO-8) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
RoHS 상태 Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Part Status — Active
트랜지스터 유형 — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
패키지 — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청