IRF7342PBF vs IRF7343TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF7342PBF от Infineon и IRF7343TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF7342PBF | IRF7343TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,89 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF7342PBF | — |
| Original Mfr | International Rectifier (now Infineon) | — |
| Technology | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array | IR MOSFET (HEXFET Generation V) |
| Configuration | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current I(D) | 3.4 A | — |
| On-Resistance R(DS(on)) | 0.105 ohm | — |
| Power Dissipation P(D) | 2 W | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус / Типоразмер | 8-SOIC (SO-8) | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Vgs(th) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Switching Frequency Optimization | < 100 kHz | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Halogen Status | Halogen-Free | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Part Status | — | Active |
| Тип транзистора | — | N and P-Channel Complementary MOSFET Array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | — | 55 V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | — | 4.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | — | 3.4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | — | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm |
| Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Корпус | — | 8-SOIC (SO-8) |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliance | — | Compliant |