IRF7342PBF vs IRF7343TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7342PBF par Infineon et IRF7343TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7342PBF IRF7343TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF —
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier / Format 8-SOIC (SO-8) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
Statut RoHS Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Part Status — Active
Type de transistor — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
Boîtier — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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