IRF7343TRPBF vs IRF7389TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7343TRPBF メーカー: Infineon および IRF7389TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7343TRPBF IRF7389TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
トランジスタタイプ N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W —
パッケージ 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
Configuration — Dual N+P Complementary Half-Bridge
動作温度 — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
MSLレベル — 1

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