IRF7343TRPBF vs IRF7389TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF7343TRPBF 제조: Infineon 및 IRF7389TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF7343TRPBF IRF7389TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.62 $0.58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
트랜지스터 유형 N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W —
패키지 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
Configuration — Dual N+P Complementary Half-Bridge
동작 온도 — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
MSL 레벨 — 1

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청