IRFH7084TRPBF vs IRFH5020TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFH7084TRPBF メーカー: Infineon および IRFH5020TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFH7084TRPBF IRFH5020TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.45 $0.36
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +150 °C (TJ max)
パッケージ 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 1 (per industry standard for PQFN-8)
RoHS ステータス Compliant —
ハロゲンフリー Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 63 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 55 mΩ
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
消費電力(TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

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