IRFH7084TRPBF vs IRFH5020TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon e IRFH5020TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFH7084TRPBF | IRFH5020TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,45 | $0,36 |
| FET Type | N-Channel | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Technology | StrongIRFET™ (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | 100 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 265 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 156 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.25 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 0.95 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | 6560 pF | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ max) |
| Encapsulamento | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | 1 (per industry standard for PQFN-8) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Livre de halogênio | Compliant | — |
| RthJC max | 0.96 °C/W (per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Family | — | HEXFET Power MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 5.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 63 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 55 mΩ |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 11 nC |
| Power Dissipation (TA=25°C) | — | 3.6 W |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | — | 8.3 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) | — | 0.8 °C/W |
| Package Type | — | 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 |
| Profile Height | — | ≤ 0.9 mm |
| Qualification Standard | — | JEDEC (Normal level) |
| Gate Drive Optimization | — | 10 V VGS |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free suffix PBF) |