IRFH7084TRPBF vs IRFH5020TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFH7084TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH5020TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFH7084TRPBF IRFH5020TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.45 $0.36
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +150 °C (TJ max)
패키지 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 1 (per industry standard for PQFN-8)
RoHS 상태 Compliant —
할로겐 프리 Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 63 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 55 mΩ
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
전력 손실 (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

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