IRFR540ZTRPBF vs IRFR540ZTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR540ZTRPBF メーカー: Infineon および IRFR540ZTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF ✓ 生産中
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.82
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 35 A (at Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) Max 28.5 mOhm at Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC 39 nC
Power Dissipation (Pd) 91 W (at Tc) —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction) —
パッケージ TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK) surface mount
Technology IR MOSFET IR MOSFET™ / HEXFET®
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
MSLレベル 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 110 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 28.5 mΩ max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical V]
Power Dissipation (PD) at TC — 91 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer

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