IRFR9024NTRPBF vs IRFR9024NTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR9024NTRPBF メーカー: Infineon および IRFR9024NTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF ✓ 生産中
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.17 $0.32
Polarity P-Channel P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET (Generation 5)
RoHS ステータス Compliant —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -11 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 175 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
動作温度範囲 — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

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