IRFR9024NTRPBF vs IRFR9024NTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR9024NTRPBF por Infineon e IRFR9024NTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,17 $0,32
Polarity P-Channel P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Corrente de dreno pulsada [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET (Generation 5)
Status RoHS Compliant —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -11 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 175 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

Fichas técnicas e recursos

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