IRFU5305PBF vs IRF5305STRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFU5305PBF メーカー: Infineon および IRF5305STRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFU5305PBF IRF5305STRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.92
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
パッケージ IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-263 / D2PAK (surface mount)
実装タイプ Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) —
RoHS Compliance Compliant —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
Technology — HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Packaging — Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix PBF)

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