IRLHS6242TRPBF vs IRLML2803TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLHS6242TRPBF メーカー: Infineon および IRLML2803TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLHS6242TRPBF IRLML2803TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.12 $0.13
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
パッケージ 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad Micro3 / SOT-23 (3-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
動作温度範囲 — -55C to +150C (TJ)
MSLレベル — 1
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

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