IRLHS6242TRPBF vs IRLML2803TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLHS6242TRPBF por Infineon e IRLML2803TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLHS6242TRPBF IRLML2803TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $0,13
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
Encapsulamento 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (TJ)
Nível MSL — 1
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Fichas técnicas e recursos

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