IRS21814MTRPBF vs IR2110SPBF 比較

詳細な並列比較: IRS21814MTRPBF メーカー: Infineon および IR2110SPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRS21814MTRPBF IR2110SPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $1.98
Configuration High and Low Side, Independent —
Driver Channels 2 (half-bridge) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (bootstrap) —
Offset Voltage (High-Side) Up to +600 V —
Peak Source Current (typ.) 1.9 A —
Peak Sink Current (typ.) 2.3 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/LSTTL 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 180 ns —
Delay Matching (HS to LS) [DATA_NEEDED: HS-LS delay matching spec] —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
dV/dt Immunity Yes (negative-transient tolerant) —
パッケージ 16-MLPQ (4x4 mm) with Exposed Pad 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
RoHS ステータス Compliant —
機能 — Half-bridge gate driver
トポロジー — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
動作温度範囲 — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

データシート&リソース

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