ISC0802NLSATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 比較
詳細な並列比較: ISC0802NLSATMA1 メーカー: Infineon および ISC046N13NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISC0802NLSATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.80 | $1.08 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| パッケージ | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| パッケージ / ケース | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |