ISC0802NLSATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC0802NLSATMA1 par Infineon et ISC046N13NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC0802NLSATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $1,08 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |